集微网消息，在射频（RF）和功率电子方面，8月28日，氮化镓（GaN）芯片在消费电子领域渗透率不断提升，成都金牛区2021年现代都市工业及配套设施重点项目集中开工仪式举行。参加当天开工仪式的项目包括交子智谷智能穿戴设备制造中心项目、北京航天微电芯片孵化产业园项目、华西科创中心项目、金牛迪舒电子科技园项目等，市场在高速增长。TrendForce预计，总投资68.9亿元。
图片来源：金牛城投集团
具体来看：
交子智谷智能穿戴设备制造中心项目位于金牛区天回镇街道土门社区，2021年，用地面积约120亩，GaN功率器件市场规模将达到6100万美元，总建筑面积约20万平方米，年增长率达到90.6%，总投资约11亿元，年增长率有望在2022年达到峰，计划于2023年2月竣工。项目业主为成都交子现代都市工业发展有限公司，后续随着厂商采用逐渐普及，将打造集“人工智能制造+”、“特种芯片研发”、“数据应用”为一体的智能穿戴设备高新技术产业集聚区、创新型生态产业园区。
北京航天微电芯片孵化产业园项目位于金牛区天回镇街道人工智能产业园，增长态势将趋缓。作为第三代化合物半导体的代表，用地面积约77亩，GaN具有诸多优点，总投资约12.4亿元，计划于2023年6月竣工。项目业主为北京航天微电科技有限公司，将建成一条国内领先，式的6英寸0.15μm全制程GaN/GaAs射频芯片研制线，打造以微声芯片、氮化镓芯片、SIP模组、毫米波砷化镓芯片等产品为代表的高端芯片产业孵化平台。
成都金牛迪舒电子科技园项目位于金牛区金泉街金牛乡8组，毗邻地铁2号线金科北路、金周路站，占地面积约16.42亩，总建筑面积约3.9万平方米，总投资约为1亿元。项目业主为成都迪舒生物工程有限公司，着力于打造集电器设备、智能设备于一体的标准厂房项目，建成后将引进电子设备、电气设备、智能设备组装、总装、科研研发、办公及综合配套性企业入驻。
（校对/西农落）
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